第三代半導(dǎo)體主要指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料，它具有寬禁帶、耐高壓、耐高溫、大電流、導(dǎo)熱好、高頻率等獨(dú)特性能和優(yōu)勢(shì)。第三代半導(dǎo)體目前主要應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件、射頻電子器件領(lǐng)域，其對(duì)新能源、光伏、通信等產(chǎn)業(yè)的自主創(chuàng)新發(fā)展和轉(zhuǎn)型升級(jí)也起到了關(guān)鍵性作用。而其中，碳化硅是目前發(fā)展較為成熟的半導(dǎo)體材料，其工藝也逐漸精深并得到了廣泛的應(yīng)用。